Yhdistettynä perinteisten Al2O3- ja BeO-substraattimateriaalien kattaviin suorituskykyetuihin, alumiininitridi(AlN)-keramiikka, jolla on korkea lämmönjohtavuus (monokiteen teoreettinen lämmönjohtavuus on 275W/m▪k，polykiteen teoreettinen lämmönjohtavuus on 70-210W/m ), pieni dielektrisyysvakio, yksikiteisen piin kanssa sovitettu lämpölaajenemiskerroin ja hyvät sähköeristysominaisuudet ovat ihanteellinen materiaali piirialustoille ja pakkauksille mikroelektroniikkateollisuudessa.Se on myös tärkeä materiaali korkeiden lämpötilojen keraamisille rakennekomponenteille hyvien korkeiden lämpötilojen mekaanisten ominaisuuksien, lämpöominaisuuksien ja kemiallisen stabiilisuuden ansiosta.
AlN:n teoreettinen tiheys on 3,26 g/cm3, MOHS-kovuus on 7-8, huoneenlämmön resistiivisyys on suurempi kuin 1016Ωm ja lämpölaajenevuus on 3,5 × 10-6/℃ (huoneenlämpötila 200 ℃).Puhdas AlN-keramiikka on väritöntä ja läpinäkyvää, mutta se olisi epäpuhtauksien takia erivärisiä, kuten harmaata, harmahtavanvalkoista tai vaaleankeltaista.
Korkean lämmönjohtavuuden lisäksi AlN-keramiikalla on myös seuraavat edut:
1. Hyvä sähköeristys;
2. Samanlainen lämpölaajenemiskerroin piin monokiteellä, parempi kuin materiaalit, kuten Al2O3 ja BeO;
3. Korkea mekaaninen lujuus ja samanlainen taivutuslujuus Al2O3-keramiikan kanssa;
4. Kohtalainen dielektrisyysvakio ja dielektrinen häviö;
5. BeO:aan verrattuna lämpötila vaikuttaa vähemmän AlN-keramiikan lämmönjohtavuuteen, erityisesti yli 200 ℃;
6. Korkean lämpötilan ja korroosionkestävyys;
7. Myrkytön;
8. Voidaan soveltaa puolijohdeteollisuuteen, kemian metallurgiateollisuuteen ja muilla teollisuuden aloilla.
Postitusaika: 14.7.2023